Гидротермалдық әдіспен жасалынған HGTR (жоғары сұр түсті жол) KTP кристалы ағынмен өсірілген КТП электрохимиясының жалпы құбылысын жеңеді, сондықтан жоғары электрлік кедергі, төмен кірісті жоғалту, төмен вольтты кернеу, жоғары лазерлік зақымдану сияқты көптеген артықшылықтарға ие. табалдырық және кең жолақты диапазон.

HTTR-KTP кристалынан жасалған KTP қорапшалары негізінен тар импульстің ені мен қайталану жиілігі жоғары импульсті лазерлерде қолданылады. Жоғары жоғалу коэффициентінің, төмен толқындардың кернеуінің және пьезоэлектрлік қоңыраудың жоғары қайталану жиілігінің артықшылықтары KTP Pockels ұяшықтары лазерлік диапазонда, лазерлі диафрагмаларда, медициналық лазерлерде және өнеркәсіптік лазерлерде және т.б. кеңінен қолданылады.

WISOPTIC техникалық кеңестерді, дизайнерлік қызметтерді, сынақ үлгілерін және KTP Pockels ұяшықтарының стандартты өнімдерін ұсынады.

KTP Pockels ұяшығын қолданудың ең жақсы шешімі үшін бізге хабарласыңыз.

КТП қалталар ұяшығының WISOPTIC артықшылығы

• Кең оптикалық өткізу қабілеті (0,5-3 мкм)

• Кірістірудің төмен шығыны

• Төмен жарты толқындық кернеу

• Төмен жұмыс кернеуі

• Жоғалу деңгейінің жоғары болуы

• Лазердің зақымдану деңгейі өте жоғары

• Пьезоэлектрлік қоңырау әсері жоқ

• Кернеуі жоғары жылдамдықты драйверлері бар жоғары қайталанатын жылдамдықты лазерге дәл ауысу

• Үлкен температура диапазонында жұмыс істеуге арналған термиялық өтемді дизайн

• Ықшам дизайн, монтаждау және реттеу өте оңай

• Жоғары экологиялық төзімділікке және ұзақ қызмет ету мерзіміне ие сапалы KTP хрусталы

КТП қалталар ұяшығының WISOPTIC техникалық мәліметтері

КТП жұбының біреуінің өлшемдері (мм)	X-кесу		Y-кесу		Электрлік төзімділік (Ом · см)
	HWV @ 1064nm (V)	Жойылу арақатынасы @ 633нм (дБ)	HWV @ 1064nm (V)	Жойылу арақатынасы @ 633нм (дБ)
3 × 3 × 10	1200	> 20	1000	> 20	> 1011
4 × 4 × 10	1600	> 20	1300	> 20	> 1011
5 × 5 × 10	2000 жыл	> 20	1600	> 20	> 1011
6 × 6 × 10	2300	> 20	1900 ж	> 20	> 1011
7 × 7 × 10	2700	> 20	2200	> 20	> 1011
8 × 8 × 10	3100	> 20	2500	> 20	> 1011
9 × 9 × 10	3500	> 20	2800	> 20	> 1011
Зақымдану шегі: > 600 МВт / см2 10 нс импульс үшін @ 1064 нм (AR жабыны)